العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > SIS472DN-T1-GE3
SIS472DN-T1-GE3
SIS472DN-T1-GE3
رقم القطعة:
SIS472DN-T1-GE3
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
18857 Pieces
ورقة البيانات:
SIS472DN-T1-GE3.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SIS472DN-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SIS472DN-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SIS472DN-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2.5V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PowerPAK® 1212-8
سلسلة:TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:8.9 mOhm @ 15A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):3.5W (Ta), 28W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:PowerPAK® 1212-8
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:24 Weeks
الصانع الجزء رقم:SIS472DN-T1-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:997pF @ 15V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:30nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 30V 20A (Tc) 3.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):30V
وصف:MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:20A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لSIS472DN-T1-GE3

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
AON6760 Image AON6760 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 30V 36A 8DFN تحقيق
CSD18510KTTT Texas Instruments 40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF تحقيق
IRFB3306PBF Image IRFB3306PBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 120A TO-220AB تحقيق
IRF6795MTR1PBF Image IRF6795MTR1PBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET تحقيق
IXTA32P05T Image IXTA32P05T IXYS MOSFET P-CH 50V 32A TO-263 تحقيق
BUK7E2R3-40C,127 Image BUK7E2R3-40C,127 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK تحقيق
IRF830STRL Image IRF830STRL Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK تحقيق
IXFR32N80P Image IXFR32N80P IXYS MOSFET N-CH 800V 20A ISOPLUS247 تحقيق
SIHG80N60E-GE3 Image SIHG80N60E-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 80A TO247AC تحقيق
XR46000ESETR Image XR46000ESETR Exar Corporation MOSFET N-CH 600V 1.5A SOT223 تحقيق
SI6463BDQ-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP تحقيق
SIS476DN-T1-GE3 Image SIS476DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8 PWR تحقيق
IPU07N03LA Image IPU07N03LA Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 30A TO-251 تحقيق
STY50N105DK5 STMicroelectronics N-CHANNEL 1050 V 0.110 OHM TYP. تحقيق
IXTT88N15 Image IXTT88N15 IXYS MOSFET N-CH 150V 88A TO-268 تحقيق
IRFP23N50L Image IRFP23N50L Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 23A TO-247AC تحقيق
STP14NM65N Image STP14NM65N STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 12A TO-220 تحقيق
IRFBC30L Image IRFBC30L Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-262 تحقيق
SIS478DN-T1-GE3 Image SIS478DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 تحقيق
IRLS3036TRL7PP Image IRLS3036TRL7PP Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK-7 تحقيق

Latest الأخبار