العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXTA32P05T
IXTA32P05T
IXTA32P05T
رقم القطعة:
IXTA32P05T
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET P-CH 50V 32A TO-263
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16949 Pieces
ورقة البيانات:
IXTA32P05T.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTA32P05T ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTA32P05T عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXTA32P05T مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4.5V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-263 (IXTA)
سلسلة:TrenchP™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:39 mOhm @ 500mA, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):83W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXTA32P05T
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1975pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:46nC @ 10V
نوع FET:P-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:P-Channel 50V 32A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):50V
وصف:MOSFET P-CH 50V 32A TO-263
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:32A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXTA32P05T

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXTA3N150HV Image IXTA3N150HV IXYS MOSFET N-CH 1500V 3A TO-263 تحقيق
IXTA3N110 Image IXTA3N110 IXYS MOSFET N-CH 1100V 3A TO-263 تحقيق
IXTA3N60P Image IXTA3N60P IXYS MOSFET N-CH 600V 3A D2-PAK تحقيق
IXTA3N120HV Image IXTA3N120HV IXYS MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO263 تحقيق
IXTA32P20T Image IXTA32P20T IXYS MOSFET P-CH 200V 32A TO-263 تحقيق
IXTA3N100P Image IXTA3N100P IXYS MOSFET N-CH 1000V 3A TO-263 تحقيق
IXTA38N15T Image IXTA38N15T IXYS MOSFET N-CH 150V 38A TO-263 تحقيق
IXTA36N30T Image IXTA36N30T IXYS MOSFET N-CH 300V 36A TO-263 تحقيق
IXTA3N120 Image IXTA3N120 IXYS MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO-263 تحقيق
IXTA36N30P Image IXTA36N30P IXYS MOSFET N-CH 300V 36A TO-263 تحقيق
IXTA36P15P Image IXTA36P15P IXYS MOSFET P-CH 150V 36A TO-263 تحقيق
IXTA3N120TRL Image IXTA3N120TRL IXYS MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263 تحقيق
IXTA3N100D2 Image IXTA3N100D2 IXYS MOSFET N-CH 1000V 3A D2PAK تحقيق
IXTA32N20T Image IXTA32N20T IXYS MOSFET N-CH 200V 32A TO-263 تحقيق
IXTA3N50P Image IXTA3N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 3.6A D2PAK تحقيق
IXTA3N50D2 Image IXTA3N50D2 IXYS MOSFET N-CH 500V 3A D2PAK تحقيق
IXTA340N04T4-7 Image IXTA340N04T4-7 IXYS MOSFET N-CH 40V 340A تحقيق
IXTA300N04T2-7 Image IXTA300N04T2-7 IXYS MOSFET N-CH 40V 300A TO-263 تحقيق

Latest الأخبار