SIZ710DT-T1-GE3 - Vishay Siliconix - الترانزستورات - فيتس، موسيتس - صفائف SIZ710DT-T1-GE3

SIZ710DT-T1-GE3

رقم القطعة:: SIZ710DT-T1-GE3

الصانع:: Vishay / Siliconix

وصف:: MOSFET 2N-CH 20V 16A POWERPAIR

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 13549 Pieces

ورقة البيانات:: SIZ710DT-T1-GE3.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SIZ710DT-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SIZ710DT-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى SIZ710DT-T1-GE3 مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:	2.2V @ 250µA
تجار الأجهزة حزمة:	6-PowerPair™
سلسلة:	TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:	6.8 mOhm @ 19A, 10V
السلطة - ماكس:	27W, 48W
التعبئة والتغليف:	Original-Reel®
حزمة / كيس:	6-PowerPair™
اسماء اخرى:	SIZ710DT-T1-GE3DKR
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:	Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:	24 Weeks
الصانع الجزء رقم:	SIZ710DT-T1-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:	820pF @ 10V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:	18nC @ 10V
نوع FET:	2 N-Channel (Half Bridge)
FET الميزة:	Logic Level Gate
وصف موسع:	Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 20V 16A, 35A 27W, 48W Surface Mount 6-PowerPair™
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):	20V
وصف:	MOSFET 2N-CH 20V 16A POWERPAIR
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:	16A, 35A
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لSIZ710DT-T1-GE3

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
AON6908A	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET 2N-CH 30V 11.5A/17A 8DFN	تحقيق
NTHD4401PT1G	ON Semiconductor	MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET	تحقيق
SI3932DV-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 6-TSOP	تحقيق
VMM1500-0075P	IXYS	MOSFET 2N-CH 75V 1500A Y3-LI	تحقيق
QS8J11TCR	Rohm Semiconductor	MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSMT8	تحقيق
IRF9953TRPBF	Infineon Technologies	MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC	تحقيق
VMM45-02F	IXYS	MOSFET 2N-CH 200V 45A TO-240AA	تحقيق
CSD87355Q5DT	Texas Instruments	MOSFET 2N-CH 30V 45A 8LSON	تحقيق
FDZ2553N	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 20V 9.6A BGA	تحقيق
FDMA3028N	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 30V 3.8A 6MICROFET	تحقيق
ALD110902SAL	Advanced Linear Devices Inc.	MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC	تحقيق
SH8K5TB1	Rohm Semiconductor	MOSFET 2N-CH 30V 3.5A SOP8	تحقيق
APTM100A13DG	Microsemi Corporation	MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6	تحقيق
SI4952DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC	تحقيق
IRF7314PBF	Infineon Technologies	MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار