SPD30N03S2L10GBTMA1
SPD30N03S2L10GBTMA1
رقم القطعة:
SPD30N03S2L10GBTMA1
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16616 Pieces
ورقة البيانات:
SPD30N03S2L10GBTMA1.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SPD30N03S2L10GBTMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SPD30N03S2L10GBTMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SPD30N03S2L10GBTMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2V @ 50µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TO252-3
سلسلة:OptiMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:10 mOhm @ 30A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):100W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
اسماء اخرى:SP000443918
SPD30N03S2L-10 G
SPD30N03S2L-10 G-ND
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:SPD30N03S2L10GBTMA1
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1550pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:41.8nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 30V 30A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):30V
وصف:MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات