يشترى SPD30N03S2L20GBTMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SPD30N03S2L20GBTMA1
- رقم القطعة:
- SPD30N03S2L20GBTMA1
- وصف:
- MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15794 Pieces
- ورقة البيانات:
- SPD30N03S2L20GBTMA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SPD30N03S2L20GBTMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SPD30N03S2L20GBTMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 23µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO252-3 |
| سلسلة: | OptiMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 20 mOhm @ 18A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 60W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| اسماء اخرى: | SP000443768 SPD30N03S2L-20 G SPD30N03S2L-20 G-ND SPD30N03S2L-20 GTR-ND SPD30N03S2L20G |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | SPD30N03S2L20GBTMA1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 700pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 19nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 30V 30A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 30A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSPD30N03S2L20GBTMA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SPD30N03S2L-07 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A DPAK | تحقيق |
|
SPD30N03S2L07T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A DPAK | تحقيق |
|
SPD30N03S2L10T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A DPAK | تحقيق |
|
SPD30N03S2L07GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 | تحقيق |
|
SPD30N08S2L-21 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 30A DPAK | تحقيق |
|
SPD30N03S2L-20 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A DPAK | تحقيق |
|
SPD30N03S2L-10 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A DPAK | تحقيق |
|
SPD30N03S2L10GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 | تحقيق |
|
SPD30N06S2-15 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A DPAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog