يشترى SPI07N60C3XKSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SPI07N60C3XKSA1
- رقم القطعة:
- SPI07N60C3XKSA1
- وصف:
- MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-262
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18587 Pieces
- ورقة البيانات:
- SPI07N60C3XKSA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SPI07N60C3XKSA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SPI07N60C3XKSA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3.9V @ 350µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO262-3-1 |
| سلسلة: | CoolMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 600 mOhm @ 4.6A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 83W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| اسماء اخرى: | SP000680976 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | SPI07N60C3XKSA1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 790pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 27nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 600V 7.3A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف: | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-262 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 7.3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSPI07N60C3XKSA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SPI07N60S5HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-262 | تحقيق |
 |
SCH1430-TL-W | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 2A SCH6 | تحقيق |
 |
IRFR4104PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 42A DPAK | تحقيق |
 |
STFI10N65K3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP | تحقيق |
 |
2SK3466(TE24L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 500V 5A SC-97 | تحقيق |
|
SPI07N65C3HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-262 | تحقيق |
|
SPI07N60C3HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-262 | تحقيق |
 |
IXTA2N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263 | تحقيق |
 |
IRFH7085TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 23A 6-PQFN | تحقيق |
 |
BSS123WQ-7-F | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 0.17A SOT323 | تحقيق |
 |
TK19A45D(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 450V 19A TO-220SIS | تحقيق |
 |
GKI10526 | Sanken | MOSFET N-CH 100V 4A 8DFN | تحقيق |
 |
RW1C015UNT2R | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 1.5A WEMT6 | تحقيق |
 |
IXFK180N15P | IXYS | MOSFET N-CH 150V 180A TO-264 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog