يشترى SPI11N60CFDHKSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SPI11N60CFDHKSA1
- رقم القطعة:
- SPI11N60CFDHKSA1
- وصف:
- MOSFET N-CH 650V 11A TO-262
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12842 Pieces
- ورقة البيانات:
- SPI11N60CFDHKSA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SPI11N60CFDHKSA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SPI11N60CFDHKSA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 500µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO262-3-1 |
| سلسلة: | CoolMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 440 mOhm @ 7A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 125W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| اسماء اخرى: | SP000229994 SP000680990 SPI11N60CFD SPI11N60CFD-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | SPI11N60CFDHKSA1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1200pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 64nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 650V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 650V |
| وصف: | MOSFET N-CH 650V 11A TO-262 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 11A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSPI11N60CFDHKSA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SPI11N60S5BKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 11A TO-262 | تحقيق |
 |
RJK0328DPB-01#J0 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK | تحقيق |
|
SPI11N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO-262 | تحقيق |
 |
STF7N90K5 | STMicroelectronics | N-CHANNEL 800 V, 0.5 OHM TYP., 7 | تحقيق |
|
SPI11N65C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO-262 | تحقيق |
|
SPI11N60C3HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 11A TO-262 | تحقيق |
 |
IRF1405ZTRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB | تحقيق |
 |
NTD5862NT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 98A DPAK | تحقيق |
|
RJK0451DPB-00#J5 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 40V 35A LFPAK | تحقيق |
|
SPI11N65C3HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO-262 | تحقيق |
 |
VS-FC220SA20 | Vishay Semiconductor Diodes Division | MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227 | تحقيق |
 |
BSS87E6327T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog