العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > SPI11N65C3HKSA1
SPI11N65C3HKSA1
SPI11N65C3HKSA1
رقم القطعة:
SPI11N65C3HKSA1
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 650V 11A TO-262
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
12257 Pieces
ورقة البيانات:
SPI11N65C3HKSA1.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SPI11N65C3HKSA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SPI11N65C3HKSA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SPI11N65C3HKSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:3.9V @ 500µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TO262-3-1
سلسلة:CoolMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:380 mOhm @ 7A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):125W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
اسماء اخرى:SP000014526
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:SPI11N65C3HKSA1
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1200pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:60nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 650V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):650V
وصف:MOSFET N-CH 650V 11A TO-262
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:11A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لSPI11N65C3HKSA1

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
SPI11N60C3XKSA1 Image SPI11N60C3XKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 11A TO-262 تحقيق
SPI11N60S5BKSA1 Image SPI11N60S5BKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 11A TO-262 تحقيق
SPI11N65C3XKSA1 Image SPI11N65C3XKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 11A TO-262 تحقيق
FQA70N15 Image FQA70N15 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 150V 70A TO-3P تحقيق
FDD8586 Image FDD8586 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 20V 35A DPAK تحقيق
IPD60R650CEAUMA1 Infineon Technologies CONSUMER تحقيق
SPI11N60CFDHKSA1 Image SPI11N60CFDHKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 11A TO-262 تحقيق
IRFSL4310PBF Image IRFSL4310PBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 130A TO-262 تحقيق
SPI11N60C3HKSA1 Image SPI11N60C3HKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 11A TO-262 تحقيق
FDC658AP Image FDC658AP Fairchild/ON Semiconductor MOSFET P-CH 30V 4A SSOT6 تحقيق
STE48NM60 Image STE48NM60 STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 48A ISOTOP تحقيق
PHP78NQ03LT,127 Image PHP78NQ03LT,127 NXP USA Inc. MOSFET N-CH 25V 75A TO220AB تحقيق
TK4P55D(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 550V 4A DPAK-3 تحقيق

Latest الأخبار