يشترى SPI20N60C3XKSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SPI20N60C3XKSA1
- رقم القطعة:
- SPI20N60C3XKSA1
- وصف:
- MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-262
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18474 Pieces
- ورقة البيانات:
- SPI20N60C3XKSA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SPI20N60C3XKSA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SPI20N60C3XKSA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3.9V @ 1mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO262-3-1 |
| سلسلة: | CoolMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 190 mOhm @ 13.1A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 208W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| اسماء اخرى: | SP000681006 SPI20N60C3 SPI20N60C3-ND SPI20N60C3IN SPI20N60C3IN-ND SPI20N60C3X SPI20N60C3XK |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | SPI20N60C3XKSA1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2400pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 114nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 650V 20.7A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 650V |
| وصف: | MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-262 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 20.7A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSPI20N60C3XKSA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFH66N20Q | IXYS | MOSFET N-CH 200V 66A TO-247 | تحقيق |
 |
DMN53D0L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23 | تحقيق |
 |
IPD025N06NATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 26A TO252-3 | تحقيق |
 |
NP82N055PUG-E1-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 55V 82A TO-263 | تحقيق |
 |
SPI20N60C3HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-262 | تحقيق |
 |
2N7002-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 | تحقيق |
|
SPI20N60CFDHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-262 | تحقيق |
 |
STD40N2LH5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 25V 40A DPAK | تحقيق |
 |
IXCY01N90E | IXYS | MOSFET N-CH 900V 0.25A TO-252 | تحقيق |
 |
SI2303-TP | Micro Commercial Co | P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE | تحقيق |
 |
BUK9616-75B,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 75V 67A D2PAK | تحقيق |
 |
FDD7030BL | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 14A DPAK | تحقيق |
|
SPI20N65C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-262 | تحقيق |
|
IPD30N06S2L-13 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog