يشترى SPP03N60C3HKSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SPP03N60C3HKSA1
- رقم القطعة:
- SPP03N60C3HKSA1
- وصف:
- MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-220AB
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12867 Pieces
- ورقة البيانات:
- SPP03N60C3HKSA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SPP03N60C3HKSA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SPP03N60C3HKSA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3.9V @ 135µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO220-3-1 |
| سلسلة: | CoolMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 1.4 Ohm @ 2A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 38W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| اسماء اخرى: | SP000013524 SPP03N60C3 SPP03N60C3IN SPP03N60C3IN-ND SPP03N60C3X SPP03N60C3X-ND SPP03N60C3XK |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | SPP03N60C3HKSA1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 400pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 17nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 650V 3.2A (Tc) 38W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 650V |
| وصف: | MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-220AB |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 3.2A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSPP03N60C3HKSA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SPP03N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY | تحقيق |
 |
NTD4857NT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 12A DPAK | تحقيق |
 |
HUFA76437S3S | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 71A D2PAK | تحقيق |
 |
FDP085N10A_F102 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 96A TO-220-3 | تحقيق |
 |
NVMFS5C456NLT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V SO8FL | تحقيق |
 |
SPP03N60S5HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-220AB | تحقيق |
 |
TK14C65W5,S1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK | تحقيق |
 |
IPW60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO247-3 | تحقيق |
 |
SI7788DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8 | تحقيق |
|
NTMFS4935NBT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 13A SO8FL | تحقيق |
|
SPP03N60S5XKSA1 | Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY | تحقيق |
 |
DMT10H010LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V SO-8 | تحقيق |
 |
FQD3N60CTM_WS | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog