يشترى SPP03N60S5HKSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SPP03N60S5HKSA1
- رقم القطعة:
- SPP03N60S5HKSA1
- وصف:
- MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-220AB
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14266 Pieces
- ورقة البيانات:
- SPP03N60S5HKSA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SPP03N60S5HKSA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SPP03N60S5HKSA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5.5V @ 135µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO220-3-1 |
| سلسلة: | CoolMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 1.4 Ohm @ 2A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 38W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| اسماء اخرى: | SPP03N60S5 SPP03N60S5IN SPP03N60S5IN-ND SPP03N60S5X SPP03N60S5XTIN SPP03N60S5XTIN-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | SPP03N60S5HKSA1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 420pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 16nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 600V 3.2A (Tc) 38W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف: | MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-220AB |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 3.2A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSPP03N60S5HKSA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BSF035NE2LQXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 22A 2WDSON | تحقيق |
 |
SI3465DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 3A 6-TSOP | تحقيق |
 |
IRL540NL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 36A TO-262 | تحقيق |
 |
SPP03N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY | تحقيق |
 |
SVD5806NT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V DPAK | تحقيق |
 |
AOT2502L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET NCH 150V 106A TO220 | تحقيق |
|
SPP03N60S5XKSA1 | Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY | تحقيق |
 |
RMW280N03TB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 28A 8PSOP | تحقيق |
 |
SPP03N60C3HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-220AB | تحقيق |
 |
IRF8010SPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK | تحقيق |
 |
NTB6411ANG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 72A D2PAK | تحقيق |
 |
IRF7401PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 8.7A 8-SOIC | تحقيق |
 |
IXFN64N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog