SPP04N50C3HKSA1
SPP04N50C3HKSA1
رقم القطعة:
SPP04N50C3HKSA1
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 560V 4.5A TO-220AB
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16837 Pieces
ورقة البيانات:
SPP04N50C3HKSA1.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SPP04N50C3HKSA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SPP04N50C3HKSA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SPP04N50C3HKSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:3.9V @ 200µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TO220-3-1
سلسلة:CoolMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:950 mOhm @ 2.8A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):50W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-220-3
اسماء اخرى:SPP04N50C3
SPP04N50C3IN
SPP04N50C3IN-ND
SPP04N50C3X
SPP04N50C3XK
SPP04N50C3XTIN
SPP04N50C3XTIN-ND
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:SPP04N50C3HKSA1
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:470pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:22nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 560V 4.5A (Tc) 50W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):560V
وصف:MOSFET N-CH 560V 4.5A TO-220AB
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:4.5A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات