يشترى SPP04N60C3HKSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3.9V @ 200µA |
---|---|
تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO220-3-1 |
سلسلة: | CoolMOS™ |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 950 mOhm @ 2.8A, 10V |
تبديد الطاقة (ماكس): | 50W (Tc) |
التعبئة والتغليف: | Tube |
حزمة / كيس: | TO-220-3 |
اسماء اخرى: | SPP04N60C3 SPP04N60C3IN SPP04N60C3IN-ND SPP04N60C3X SPP04N60C3XK SPP04N60C3XTIN SPP04N60C3XTIN-ND |
درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
تصاعد نوع: | Through Hole |
مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
الصانع الجزء رقم: | SPP04N60C3HKSA1 |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 490pF @ 25V |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 25nC @ 10V |
نوع FET: | N-Channel |
FET الميزة: | - |
وصف موسع: | N-Channel 650V 4.5A (Tc) 50W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 650V |
وصف: | MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-220AB |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 4.5A (Tc) |
Email: | [email protected] |