العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > SPU03N60S5BKMA1
SPU03N60S5BKMA1
SPU03N60S5BKMA1
رقم القطعة:
SPU03N60S5BKMA1
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-251
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14337 Pieces
ورقة البيانات:
SPU03N60S5BKMA1.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SPU03N60S5BKMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SPU03N60S5BKMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SPU03N60S5BKMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5.5V @ 135µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TO251-3
سلسلة:CoolMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:1.4 Ohm @ 2A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):38W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
اسماء اخرى:SP000012423
SPU03N60S5
SPU03N60S5-ND
SPU03N60S5IN
SPU03N60S5IN-ND
SPU03N60S5X
SPU03N60S5XK
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:SPU03N60S5BKMA1
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:420pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:16nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 600V 3.2A (Tc) 38W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف:MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-251
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:3.2A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لSPU03N60S5BKMA1

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
RCX220N25 Image RCX220N25 Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 250V 22A TO220 تحقيق
NX7002BKR Image NX7002BKR Nexperia USA Inc. MOSFET 2N-CH 60V TO-236AB تحقيق
STD12N50DM2 Image STD12N50DM2 STMicroelectronics N-CHANNEL 500 V, 0.35 OHM TYP., تحقيق
MGSF1N03LT3G Image MGSF1N03LT3G ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23 تحقيق
IXFH30N40Q Image IXFH30N40Q IXYS MOSFET N-CH 400V 30A TO-247 تحقيق
FQPF30N06L Image FQPF30N06L Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 22.5A TO-220F تحقيق
IXFR26N60Q Image IXFR26N60Q IXYS MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS247 تحقيق
SPU03N60C3BKMA1 Image SPU03N60C3BKMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-251 تحقيق
SPB80N03S2L-05 Image SPB80N03S2L-05 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK تحقيق
DMN10H099SFG-7 Image DMN10H099SFG-7 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333 تحقيق
BSP030,115 Image BSP030,115 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 30V 10A SOT223 تحقيق
STB21NM50N Image STB21NM50N STMicroelectronics MOSFET N-CH 500V 18A D2PAK تحقيق
IRFH7440TRPBF Image IRFH7440TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN تحقيق
CSD18509Q5B Texas Instruments MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON تحقيق
BSC026N02KS G Image BSC026N02KS G Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8 تحقيق
SIHB28N60EF-GE3 Image SIHB28N60EF-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK تحقيق
IRF3707SPBF Image IRF3707SPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK تحقيق
IXFX20N120 Image IXFX20N120 IXYS MOSFET N-CH 1200V 20A ISOPLUS247 تحقيق

Latest الأخبار