يشترى SQ4961EY-T1_GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SQ4961EY-T1_GE3
- رقم القطعة:
- SQ4961EY-T1_GE3
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET DUAL P-CHAN 60V SO8
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17855 Pieces
- ورقة البيانات:
- SQ4961EY-T1_GE3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SQ4961EY-T1_GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SQ4961EY-T1_GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-SOIC |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 85 mOhm @ 3.5A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 3.3W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| اسماء اخرى: | SQ4961EY-T1_GE3TR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 18 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | SQ4961EY-T1_GE3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1140pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 40nC @ 10V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | Standard |
| وصف موسع: | Mosfet Array P-Channel 60V 4.4A (Tc) 3.3W Surface Mount 8-SOIC |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET DUAL P-CHAN 60V SO8 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 4.4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSQ4961EY-T1_GE3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRF9952PBF | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC | تحقيق |
 |
IRF6156 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 6.5A FLIP-FET | تحقيق |
 |
SSM6N42FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6 | تحقيق |
 |
SH8K4TB1 | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 9A SOP8 | تحقيق |
 |
BSL215CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP-6 | تحقيق |
 |
SI4226DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC | تحقيق |
 |
APTM50DUM25TG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 500V 149A LP8 | تحقيق |
 |
SI7905DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 40V 6A PPAK 1212-8 | تحقيق |
 |
EPC2101ENGRT | EPC | TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID | تحقيق |
 |
AON4605_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N/P-CH 30V 4.3A/3.4A 8DFN | تحقيق |
 |
ALD110804SCL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC | تحقيق |
 |
SI5905DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8 | تحقيق |
 |
NTJD3158CT2G | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V SC88-6 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog