يشترى STB11NM60FDT4 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
STB11NM60FDT4
- رقم القطعة:
- STB11NM60FDT4
- الصانع:
- ST
- وصف:
- MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17687 Pieces
- ورقة البيانات:
- STB11NM60FDT4.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل STB11NM60FDT4 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك STB11NM60FDT4 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | D2PAK |
| سلسلة: | FDmesh™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 450 mOhm @ 5.5A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 160W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| اسماء اخرى: | 497-3511-1 |
| درجة حرارة التشغيل: | - |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | STB11NM60FDT4 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 900pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 40nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 600V 11A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف: | MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 11A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSTB11NM60FDT4
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
STB11NK50ZT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK | تحقيق |
 |
STB11NM60N-1 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK | تحقيق |
|
STB11NM60-1 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 11A I2PAK | تحقيق |
 |
FDN86246 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 1.6A 3SSOT | تحقيق |
|
IRF3711STRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK | تحقيق |
|
STB11NM60T4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK | تحقيق |
 |
STB11N52K3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 525V 10A D2PAK | تحقيق |
|
STB11NK40ZT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 400V 9A D2PAK | تحقيق |
|
STB11N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N CH 650V 9A D2PAK | تحقيق |
 |
AON6408L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 14.5A 8DFN | تحقيق |
|
IRF3415STRR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK | تحقيق |
|
HUF75309P3 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 55V 19A TO-220AB | تحقيق |
|
STB11NM80T4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK | تحقيق |
 |
AON7428 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 50A 3X3DFN | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog