يشترى STB11NM60N-1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
STB11NM60N-1
- رقم القطعة:
- STB11NM60N-1
- الصانع:
- ST
- وصف:
- MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15992 Pieces
- ورقة البيانات:
- STB11NM60N-1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل STB11NM60N-1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك STB11NM60N-1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | I2PAK |
| سلسلة: | MDmesh™ II |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 450 mOhm @ 5A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 90W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | STB11NM60N-1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 850pF @ 50V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 31nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 600V 10A (Tc) 90W (Tc) Through Hole I2PAK |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف: | MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 10A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSTB11NM60N-1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
STB11NM60FDT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK | تحقيق |
|
STB11NM60T4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK | تحقيق |
 |
FDMS2510SDC | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 28A POWER56 | تحقيق |
 |
IRFR3708TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 61A DPAK | تحقيق |
|
STB11NK50ZT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK | تحقيق |
 |
STB11N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N CH 650V 9A D2PAK | تحقيق |
 |
STB11NM60-1 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 11A I2PAK | تحقيق |
|
STB11NM80T4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK | تحقيق |
 |
SCT10N120 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3 | تحقيق |
|
STB11NK40ZT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 400V 9A D2PAK | تحقيق |
 |
TK6Q60W,S1VQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 600V 6.2A IPAK | تحقيق |
 |
STF5N95K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 950V 3.5A TO220FP | تحقيق |
 |
EPC2025 | EPC | TRANS GAN 300V 150MO BUMPED DIE | تحقيق |
|
STB11N52K3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 525V 10A D2PAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog