يشترى STD65N55LF3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.5V @ 250µA |
---|---|
فغس (ماكس): | ±20V |
تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
تجار الأجهزة حزمة: | DPAK |
سلسلة: | STripFET™ III |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 8.5 mOhm @ 32A, 10V |
تبديد الطاقة (ماكس): | 110W (Tc) |
التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
اسماء اخرى: | 497-10877-6 |
درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
تصاعد نوع: | Surface Mount |
مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
الصانع المهلة القياسية: | 26 Weeks |
الصانع الجزء رقم: | STD65N55LF3 |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2200pF @ 25V |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 20nC @ 5V |
نوع FET: | N-Channel |
FET الميزة: | - |
وصف موسع: | N-Channel 55V 80A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount DPAK |
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 5V, 10V |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 55V |
وصف: | MOSFET N-CH 55V 80A DPAK |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
Email: | [email protected] |