يشترى STGB30M65DF2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
STGB30M65DF2
- رقم القطعة:
- STGB30M65DF2
- الصانع:
- ST
- وصف:
- IGBT 650V 30A D2PAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18944 Pieces
- ورقة البيانات:
- STGB30M65DF2.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل STGB30M65DF2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك STGB30M65DF2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 650V |
|---|---|
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 2V @ 15V, 30A |
| اختبار حالة: | 400V, 30A, 10 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 31.6ns/115ns |
| تحويل الطاقة: | 300µJ (on), 960µJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة: | D2PAK |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 140ns |
| السلطة - ماكس: | 258W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| اسماء اخرى: | 497-15843-2 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 20 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | STGB30M65DF2 |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | Trench Field Stop |
| بوابة المسؤول: | 80nC |
| وصف موسع: | IGBT Trench Field Stop 650V 60A 258W Surface Mount D2PAK |
| وصف: | IGBT 650V 30A D2PAK |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 120A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 60A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSTGB30M65DF2
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
STGB30V60F | STMicroelectronics | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, V S | تحقيق |
|
STGB30H60DFB | STMicroelectronics | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB | تحقيق |
 |
STGB3NB60KDT4 | STMicroelectronics | IGBT 600V 10A 50W D2PAK | تحقيق |
|
STGB30NC60KT4 | STMicroelectronics | IGBT 600V 60A 185W D2PAK | تحقيق |
|
STGB30H60DLFB | STMicroelectronics | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB | تحقيق |
|
STGB35N35LZT4 | STMicroelectronics | IGBT 345V 40A 176W D2PAK | تحقيق |
|
STGB30H60DF | STMicroelectronics | IGBT 600V 60A 260W D2PAK | تحقيق |
|
STGB3NB60SDT4 | STMicroelectronics | IGBT 600V 6A 70W D2PAK | تحقيق |
|
STGB30V60DF | STMicroelectronics | IGBT 600V 60A 258W D2PAK | تحقيق |
|
STGB30NC60WT4 | STMicroelectronics | IGBT 600V 60A 200W D2PAK | تحقيق |
|
STGB3NB60FDT4 | STMicroelectronics | IGBT 600V 6A 68W D2PAK | تحقيق |
|
STGB3NC120HDT4 | STMicroelectronics | IGBT 1200V 14A 75W D2PAK | تحقيق |
 |
STGB35N35LZ-1 | STMicroelectronics | IGBT 345V 40A 176W I2PAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog