يشترى STL11N65M5 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
STL11N65M5
- رقم القطعة:
- STL11N65M5
- الصانع:
- ST
- وصف:
- MOSFET N-CH 650V 9A POWERFLAT
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14469 Pieces
- ورقة البيانات:
- STL11N65M5.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل STL11N65M5 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك STL11N65M5 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±25V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PowerFLAT™ (5x5) |
| سلسلة: | MDmesh™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 530 mOhm @ 4.25A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 70W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-PowerVDFN |
| اسماء اخرى: | 497-15261-2 STL11N65M5-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 20 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | STL11N65M5 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 644pF @ 100V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 17nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 650V 8.5A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount PowerFLAT™ (5x5) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 650V |
| وصف: | MOSFET N-CH 650V 9A POWERFLAT |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 8.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSTL11N65M5
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
FDMS86263P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 150V 22A POWER 56 | تحقيق |
 |
STL11N65M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X5 H | تحقيق |
 |
NTMFS4941NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 9A SO8FL | تحقيق |
 |
IXFH15N80 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 15A TO-247AD | تحقيق |
 |
STL110NS3LLH7 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 120A POWERFLAT | تحقيق |
 |
NTD4960NT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 11.1A DPAK | تحقيق |
 |
SI3417DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 8A TSOP-6 | تحقيق |
 |
STL11N6F7 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 11A POWERFLAT | تحقيق |
 |
BUK7575-100A,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB | تحقيق |
 |
IRFR7546TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 71A DPAK | تحقيق |
 |
SI4835BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 7.4A 8-SOIC | تحقيق |
|
STL110N10F7 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 21A PWRFLAT5X6 | تحقيق |
 |
FDD8878 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 40A DPAK | تحقيق |
 |
STT3PF30L | STMicroelectronics | MOSFET P-CH 30V 2.4A SOT23-6 | تحقيق |
 |
STL11N4LLF5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V 11A POWERFLAT | تحقيق |
 |
IXTT140P10T | IXYS | MOSFET P-CH 100V 140A TO-268 | تحقيق |
|
STL11N3LLH6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 11A POWERFLAT | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers