يشترى STV160NF03LAT4 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
STV160NF03LAT4
- رقم القطعة:
- STV160NF03LAT4
- الصانع:
- ST
- وصف:
- MOSFET N-CH 30V 160A POWERSO-10
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16000 Pieces
- ورقة البيانات:
- STV160NF03LAT4.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل STV160NF03LAT4 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك STV160NF03LAT4 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 10-PowerSO |
| سلسلة: | STripFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 3 mOhm @ 80A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 210W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad |
| درجة حرارة التشغيل: | 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع الجزء رقم: | STV160NF03LAT4 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 5350pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 160nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 30V 160A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount 10-PowerSO |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET N-CH 30V 160A POWERSO-10 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 160A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSTV160NF03LAT4
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
2N7002K,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 340MA SOT23 | تحقيق |
 |
SQS420EN-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 8A 1212-8 | تحقيق |
 |
IPW60R099CPAFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31A TO-247 | تحقيق |
 |
STV160NF03LT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 160A POWERSO-10 | تحقيق |
 |
FCP190N65F | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220-3 | تحقيق |
|
STV160NF02LT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10 | تحقيق |
|
STV160NF02LAT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10 | تحقيق |
 |
IRF7705TR | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 8A 8-TSSOP | تحقيق |
 |
NTMFS4C10NT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 8.2A SO8FL | تحقيق |
 |
IRFI640G | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220FP | تحقيق |
 |
IRF7353D2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC | تحقيق |
 |
2SK4222 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 23A TO-3PB | تحقيق |
 |
STB45N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N CH 650V 35A D2PAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers