يشترى STW18NM60ND مع BYCHPS
شراء مع ضمان
STW18NM60ND
- رقم القطعة:
- STW18NM60ND
- الصانع:
- ST
- وصف:
- MOSFET N-CH 600V 13A TO-247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16402 Pieces
- ورقة البيانات:
- STW18NM60ND.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل STW18NM60ND ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك STW18NM60ND عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247 |
| سلسلة: | FDmesh™ II |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 290 mOhm @ 6.5A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 110W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| اسماء اخرى: | 497-13887-5 |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | STW18NM60ND |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1030pF @ 50V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 34nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 600V 13A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-247 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف: | MOSFET N-CH 600V 13A TO-247 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 13A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSTW18NM60ND
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
STW18N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 13A TO-247 | تحقيق |
|
STW18NM80 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 17A TO-247 | تحقيق |
 |
SQM110N05-06L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 55V 110A TO263 | تحقيق |
|
STW18NK80Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 19A TO-247 | تحقيق |
 |
NTJS4151PT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3.3A SC-88 | تحقيق |
|
STW18NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 13A TO-247 | تحقيق |
 |
IXFP7N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 7A TO-220 | تحقيق |
 |
2N7002BKT,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 290MA SOT416 | تحقيق |
 |
HAT2174H-EL-E | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 100V 20A 5LFPAK | تحقيق |
 |
IXTC130N15T | IXYS | MOSFET N-CH 150V ISOPLUS220 | تحقيق |
 |
SCT3040KLGC11 | Rohm Semiconductor | MOSFET NCH 1.2KV 55A TO247N | تحقيق |
 |
APT60M80L2VRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 65A TO-264MAX | تحقيق |
|
IRFBC30S | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK | تحقيق |
 |
FDP027N08B | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 223A TO-220-3 | تحقيق |
 |
IXFA5N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 5A TO-263AA | تحقيق |
|
STW18NK60Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 16A TO-247 | تحقيق |
|
STW18N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N CH 650V 15A TO-247 | تحقيق |
|
STW18N60DM2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 12A | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog