العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > STW33N60DM2
STW33N60DM2
STW33N60DM2
رقم القطعة:
STW33N60DM2
الصانع:
ST
وصف:
MOSFET N-CH 600V 24A
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16283 Pieces
ورقة البيانات:
STW33N60DM2.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل STW33N60DM2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك STW33N60DM2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى STW33N60DM2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5V @ 250µA
فغس (ماكس):±25V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-247
سلسلة:MDmesh™ DM2
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:130 mOhm @ 12A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):190W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-247-3
اسماء اخرى:497-16353-5
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:24 Weeks
الصانع الجزء رقم:STW33N60DM2
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1870pF @ 100V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:43nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 600V 24A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف:MOSFET N-CH 600V 24A
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:24A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لSTW33N60DM2

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXFK80N65X2 Image IXFK80N65X2 IXYS MOSFET N-CH 650V 80A TO-264 تحقيق
IRFZ24S Image IRFZ24S Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK تحقيق
BUK9Y12-40E,115 Image BUK9Y12-40E,115 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 40V LFPAK تحقيق
IPW60R280P6FKSA1 Image IPW60R280P6FKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V TO247-3 تحقيق
IRFS59N10DPBF Image IRFS59N10DPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK تحقيق
SI8451DB-T2-E1 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 10.8A MICROFOOT تحقيق
STW33N60M2 Image STW33N60M2 STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 26A TO-247 تحقيق
STF13N80K5 Image STF13N80K5 STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V 12A TO-220FP تحقيق
IRF3805L-7PPBF Image IRF3805L-7PPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 160A TO-263-7 تحقيق
DMT3004LFG-13 Diodes Incorporated MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI تحقيق
IXTT16N50D2 Image IXTT16N50D2 IXYS MOSFET N-CH 500V 16A TO-268 تحقيق
CSD17484F4 Texas Instruments N-CHANNEL FEMTOFET MOSFET تحقيق
ZXMP7A17KTC Image ZXMP7A17KTC Diodes Incorporated MOSFET P-CH 70V 5.7A D PAK تحقيق
IXFR180N06 Image IXFR180N06 IXYS MOSFET N-CH 60V 180A ISOPLUS247 تحقيق
SI4686DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC تحقيق
FDBL86563_F085 Image FDBL86563_F085 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 240A PSOF8 تحقيق
SI4403BDY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 7.3A 8-SOIC تحقيق
SIE822DF-T1-E3 Image SIE822DF-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 50A 10-POLARPAK تحقيق

Latest الأخبار