يشترى SUD23N06-31-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SUD23N06-31-GE3
- رقم القطعة:
- SUD23N06-31-GE3
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET N-CH 60V 21.4A TO-252
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18011 Pieces
- ورقة البيانات:
- SUD23N06-31-GE3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SUD23N06-31-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SUD23N06-31-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-252, (D-Pak) |
| سلسلة: | TrenchFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 31 mOhm @ 15A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 5.7W (Ta), 31.25W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| اسماء اخرى: | SUD23N06-31-GE3TR SUD23N0631GE3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 24 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | SUD23N06-31-GE3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 670pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 17nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 60V 21.4A (Tc) 5.7W (Ta), 31.25W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4.5V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET N-CH 60V 21.4A TO-252 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 21.4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSUD23N06-31-GE3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SUD23N06-31L-T4-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V TO252 | تحقيق |
|
SUD23N06-31-T4-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252 | تحقيق |
|
SUD23N06-31L-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V TO252 | تحقيق |
 |
STF5N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220FP | تحقيق |
 |
DMP2004TK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 0.43A SOT-523 | تحقيق |
 |
IRFH8337TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 12A 5X6 PQFN | تحقيق |
 |
STP270N04 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V 120A TO-220 | تحقيق |
 |
NTD4809N-35G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 9A IPAK | تحقيق |
 |
TPH1110ENH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP | تحقيق |
 |
IXTH50N25T | IXYS | MOSFET N-CH 250V 50A TO-247 | تحقيق |
 |
PHD9NQ20T,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 200V 8.7A DPAK | تحقيق |
|
STP90N4F3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V 80A TO-220 | تحقيق |
 |
SI5463EDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 3.8A 1206-8 | تحقيق |
|
BUK6213-30C,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 47A DPAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog