TPH1110ENH,L1Q
TPH1110ENH,L1Q
رقم القطعة:
TPH1110ENH,L1Q
الصانع:
Toshiba Semiconductor
وصف:
MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
15919 Pieces
ورقة البيانات:
TPH1110ENH,L1Q.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل TPH1110ENH,L1Q ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك TPH1110ENH,L1Q عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى TPH1110ENH,L1Q مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 200µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:8-SOP Advance (5x5)
سلسلة:U-MOSVIII-H
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:114 mOhm @ 3.6A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):1.6W (Ta), 42W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:8-PowerVDFN
اسماء اخرى:TPH1110ENH,L1Q(M
TPH1110ENHL1QTR
درجة حرارة التشغيل:150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:16 Weeks
الصانع الجزء رقم:TPH1110ENH,L1Q
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:600pF @ 100V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:7nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 200V 7.2A (Ta) 1.6W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):200V
وصف:MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:7.2A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات