يشترى SUP60N10-16L-E3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SUP60N10-16L-E3
- رقم القطعة:
- SUP60N10-16L-E3
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16900 Pieces
- ورقة البيانات:
- 1.SUP60N10-16L-E3.pdf2.SUP60N10-16L-E3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SUP60N10-16L-E3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SUP60N10-16L-E3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220AB |
| سلسلة: | TrenchFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 16 mOhm @ 30A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 150W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | SUP60N10-16L-E3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 3820pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 110nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 100V 60A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 60A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSUP60N10-16L-E3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SUP60N10-18P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB | تحقيق |
 |
DMP2039UFDE4-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 25V 7.3A 6DFN | تحقيق |
 |
IRFZ44VS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK | تحقيق |
 |
CSD13306WT | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 6DSBGA | تحقيق |
|
SUP60N06-12P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB | تحقيق |
 |
IRFH5306TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 15A 5X6 PQFN | تحقيق |
 |
AOT254L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 150V 4.2A TO220 | تحقيق |
 |
2N7636-GA | GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 650V 4A TO276 | تحقيق |
 |
IXTA38N15T | IXYS | MOSFET N-CH 150V 38A TO-263 | تحقيق |
 |
IRF9392TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC | تحقيق |
|
SUP60030E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB | تحقيق |
 |
IXFT36N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 36A TO-268 D3 | تحقيق |
 |
IRLMS6702TR | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP | تحقيق |
|
SUP60N06-12P-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB | تحقيق |
 |
IXFP130N10T2 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 130A TO-220 | تحقيق |
 |
BSB012NE2LX | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 170A WDSON-2 | تحقيق |
|
SUP60N02-4M5P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 60A TO220AB | تحقيق |
|
SIHP18N50C-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 18A TO220 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog