يشترى TK10A60E,S4X مع BYCHPS
شراء مع ضمان
TK10A60E,S4X
- رقم القطعة:
- TK10A60E,S4X
- الصانع:
- Toshiba Semiconductor
- وصف:
- MOSFET N-CH 600V TO220SIS
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18782 Pieces
- ورقة البيانات:
- TK10A60E,S4X.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل TK10A60E,S4X ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك TK10A60E,S4X عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±30V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220SIS |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 750 mOhm @ 5A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 45W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| اسماء اخرى: | TK10A60E,S4X(S TK10A60E,S5X TK10A60E,S5X(M TK10A60ES4X TK10A60ES4X(S TK10A60ES4X(S-ND TK10A60ES5X TK10A60ES5X-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | TK10A60E,S4X |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1300pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 40nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 600V 10A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف: | MOSFET N-CH 600V TO220SIS |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 10A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لTK10A60E,S4X
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
TK10A60D(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS | تحقيق |
 |
TK10A60W,S4VX | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS | تحقيق |
 |
IRF640L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 18A TO-262 | تحقيق |
|
TK10A60W,S4X | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220 | تحقيق |
|
TK10A60W5,S5VX | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS | تحقيق |
 |
NTB75N03RG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 9.7A D2PAK | تحقيق |
|
TK10A80E,S4X | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 800V TO220SIS | تحقيق |
|
TK10A55D(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 550V 10A TO-220SIS | تحقيق |
|
TK10A80W,S4X | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220-3 | تحقيق |
 |
FCP20N60_F080 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 20A TO-220 | تحقيق |
|
TK10A50D(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 500V 10A TO-220SIS | تحقيق |
 |
2N6660JTXP02 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog