يشترى TK10Q60W,S1VQ مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3.7V @ 500µA |
---|---|
تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
تجار الأجهزة حزمة: | I-Pak |
سلسلة: | DTMOSIV |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 430 mOhm @ 4.9A, 10V |
تبديد الطاقة (ماكس): | 80W (Tc) |
التعبئة والتغليف: | Tube |
حزمة / كيس: | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
اسماء اخرى: | TK10Q60W,S1VQ(S TK10Q60WS1VQ |
درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
تصاعد نوع: | Through Hole |
مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
الصانع المهلة القياسية: | 16 Weeks |
الصانع الجزء رقم: | TK10Q60W,S1VQ |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 700pF @ 300V |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 20nC @ 10V |
نوع FET: | N-Channel |
FET الميزة: | - |
وصف موسع: | N-Channel 600V 9.7A (Ta) 80W (Tc) Through Hole I-Pak |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
وصف: | MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 9.7A (Ta) |
Email: | [email protected] |