يشترى TPN2R503NC,L1Q مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.3V @ 500µA |
---|---|
تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
تجار الأجهزة حزمة: | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
سلسلة: | U-MOSVIII |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 2.5 mOhm @ 20A, 10V |
تبديد الطاقة (ماكس): | 700mW (Ta), 35W (Tc) |
التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
حزمة / كيس: | 8-PowerVDFN |
اسماء اخرى: | TPN2R503NC,L1Q(M TPN2R503NCL1Q TPN2R503NCL1QTR |
درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
تصاعد نوع: | Surface Mount |
مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
الصانع المهلة القياسية: | 16 Weeks |
الصانع الجزء رقم: | TPN2R503NC,L1Q |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2230pF @ 15V |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 40nC @ 10V |
نوع FET: | N-Channel |
FET الميزة: | - |
وصف موسع: | N-Channel 30V 40A (Ta) 700mW (Ta), 35W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
وصف: | MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 40A (Ta) |
Email: | [email protected] |