TK56A12N1,S4X
TK56A12N1,S4X
رقم القطعة:
TK56A12N1,S4X
الصانع:
Toshiba Semiconductor
وصف:
MOSFET N-CH 120V 56A TO-220
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
18999 Pieces
ورقة البيانات:
TK56A12N1,S4X.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل TK56A12N1,S4X ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك TK56A12N1,S4X عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى TK56A12N1,S4X مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 1mA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-220SIS
سلسلة:U-MOSVIII-H
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:7.5 mOhm @ 28A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):45W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
اسماء اخرى:TK56A12N1,S4X(S
TK56A12N1,S4X-ND
TK56A12N1S4X
درجة حرارة التشغيل:150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:16 Weeks
الصانع الجزء رقم:TK56A12N1,S4X
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:4200pF @ 60V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:69nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 120V 56A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):120V
وصف:MOSFET N-CH 120V 56A TO-220
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:56A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات