TK7S10N1Z,LQ
رقم القطعة:
TK7S10N1Z,LQ
الصانع:
Toshiba Semiconductor
وصف:
MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14305 Pieces
ورقة البيانات:
TK7S10N1Z,LQ.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل TK7S10N1Z,LQ ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك TK7S10N1Z,LQ عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى TK7S10N1Z,LQ مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 100µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:DPAK+
سلسلة:U-MOSVIII-H
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:48 mOhm @ 3.5A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):50W (Tc)
التعبئة والتغليف:Original-Reel®
حزمة / كيس:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
اسماء اخرى:TK7S10N1ZLQDKR
درجة حرارة التشغيل:175°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:16 Weeks
الصانع الجزء رقم:TK7S10N1Z,LQ
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:470pF @ 10V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:7.1nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 100V 7A (Ta) 50W (Tc) Surface Mount DPAK+
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):100V
وصف:MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:7A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات