يشترى TN5335K1-G مع BYCHPS
شراء مع ضمان
TN5335K1-G
- رقم القطعة:
- TN5335K1-G
- وصف:
- MOSFET N-CH 350V 0.11A SOT23-3
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17861 Pieces
- ورقة البيانات:
- TN5335K1-G.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل TN5335K1-G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك TN5335K1-G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 1mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-23 (TO-236AB) |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 15 Ohm @ 200mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 360mW (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | TN5335K1-G |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 110pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 350V 110mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23 (TO-236AB) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 350V |
| وصف: | MOSFET N-CH 350V 0.11A SOT23-3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 110mA (Tj) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لTN5335K1-G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
FQPF30N06L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 22.5A TO-220F | تحقيق |
 |
STD12N50DM2 | STMicroelectronics | N-CHANNEL 500 V, 0.35 OHM TYP., | تحقيق |
 |
TN5335N8-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 350V 0.23A SOT89-3 | تحقيق |
 |
IXFX20N120 | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 20A ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
MGSF1N03LT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23 | تحقيق |
 |
NX7002BKR | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 60V TO-236AB | تحقيق |
 |
IXFR26N60Q | IXYS | MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
SPB80N03S2L-05 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | تحقيق |
 |
IXFH30N40Q | IXYS | MOSFET N-CH 400V 30A TO-247 | تحقيق |
 |
DMN10H099SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333 | تحقيق |
 |
BSP030,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 10A SOT223 | تحقيق |
|
STB21NM50N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 18A D2PAK | تحقيق |
 |
CSD18509Q5B | Texas Instruments | MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON | تحقيق |
 |
IRFH7440TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN | تحقيق |
 |
STF11N50M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 8A TO220FP | تحقيق |
|
SIHB28N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK | تحقيق |
|
BSC026N02KS G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8 | تحقيق |
|
IRF3707SPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK | تحقيق |
 |
RCX220N25 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 22A TO220 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog