يشترى TP0610K-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
TP0610K-T1-GE3
- رقم القطعة:
- TP0610K-T1-GE3
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET P-CH 60V 185MA TO-236
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17143 Pieces
- ورقة البيانات:
- TP0610K-T1-GE3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل TP0610K-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك TP0610K-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-23-3 (TO-236) |
| سلسلة: | TrenchFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 6 Ohm @ 500mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 350mW (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| اسماء اخرى: | TP0610K-T1-GE3-ND TP0610K-T1-GE3TR TP0610KT1GE3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 15 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | TP0610K-T1-GE3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 23pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 1.7nC @ 15V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 60V 185mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4.5V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET P-CH 60V 185MA TO-236 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 185mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لTP0610K-T1-GE3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
TP0610K-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3 | تحقيق |
|
TP0610K-T1 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23 | تحقيق |
 |
IPB80N04S3-06 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 | تحقيق |
 |
IXFH12N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247 | تحقيق |
|
SI4196DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC | تحقيق |
 |
IXTY1N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 1A TO-252 | تحقيق |
|
IPB05N03LA | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK | تحقيق |
|
TP0610KL-TR1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 270MA TO92-3 | تحقيق |
 |
IRLR2905TRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | تحقيق |
 |
IRFB4215PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 115A TO-220AB | تحقيق |
 |
TPH2R608NH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 75V 150A SOP8 | تحقيق |
 |
BSL303SPEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 6.3A TSOP-6 | تحقيق |
 |
IPP320N20N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 34A TO220-3 | تحقيق |
 |
FDD8445_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 70A DPAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog