العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > TP2510N8-G
TP2510N8-G
TP2510N8-G
رقم القطعة:
TP2510N8-G
الصانع:
Micrel / Microchip Technology
وصف:
MOSFET P-CH 100V 0.48A SOT89-3
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17539 Pieces
ورقة البيانات:
TP2510N8-G.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل TP2510N8-G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك TP2510N8-G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى TP2510N8-G مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2.4V @ 1mA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-243AA (SOT-89)
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:3.5 Ohm @ 750mA, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):1.6W (Ta)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-243AA
اسماء اخرى:TP2510N8-G-ND
TP2510N8-GTR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:15 Weeks
الصانع الجزء رقم:TP2510N8-G
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:125pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:-
نوع FET:P-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:P-Channel 100V 480mA (Tj) 1.6W (Ta) Surface Mount TO-243AA (SOT-89)
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):100V
وصف:MOSFET P-CH 100V 0.48A SOT89-3
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:480mA (Tj)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لTP2510N8-G

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXFR32N80P Image IXFR32N80P IXYS MOSFET N-CH 800V 20A ISOPLUS247 تحقيق
SI6463BDQ-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP تحقيق
STP14NM65N Image STP14NM65N STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 12A TO-220 تحقيق
IPU07N03LA Image IPU07N03LA Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 30A TO-251 تحقيق
IXTA32P05T Image IXTA32P05T IXYS MOSFET P-CH 50V 32A TO-263 تحقيق
AON6760 Image AON6760 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 30V 36A 8DFN تحقيق
IRLS3036TRL7PP Image IRLS3036TRL7PP Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK-7 تحقيق
SIHG80N60E-GE3 Image SIHG80N60E-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 80A TO247AC تحقيق
IRFBC30L Image IRFBC30L Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-262 تحقيق
IRFP23N50L Image IRFP23N50L Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 23A TO-247AC تحقيق
BUK7E2R3-40C,127 Image BUK7E2R3-40C,127 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK تحقيق
IRFB3306PBF Image IRFB3306PBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 120A TO-220AB تحقيق
BSP92PH6327XTSA1 Image BSP92PH6327XTSA1 Infineon Technologies MOSFET P-CH 250V 260MA 4SOT223 تحقيق
AOTF5N50 Image AOTF5N50 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 500V 5A TO220F تحقيق
IRF830STRL Image IRF830STRL Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK تحقيق
STY50N105DK5 STMicroelectronics N-CHANNEL 1050 V 0.110 OHM TYP. تحقيق
XR46000ESETR Image XR46000ESETR Exar Corporation MOSFET N-CH 600V 1.5A SOT223 تحقيق
IXTT88N15 Image IXTT88N15 IXYS MOSFET N-CH 150V 88A TO-268 تحقيق
IRF6795MTR1PBF Image IRF6795MTR1PBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET تحقيق
CSD18510KTTT Texas Instruments 40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF تحقيق

Latest الأخبار