TPCF8101(TE85L,F,M
TPCF8101(TE85L,F,M
رقم القطعة:
TPCF8101(TE85L,F,M
الصانع:
Toshiba Semiconductor
وصف:
MOSFET P-CH 12V 6A VS-8
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
15094 Pieces
ورقة البيانات:
1.TPCF8101(TE85L,F,M.pdf2.TPCF8101(TE85L,F,M.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل TPCF8101(TE85L,F,M ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك TPCF8101(TE85L,F,M عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى TPCF8101(TE85L,F,M مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:1.2V @ 200µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:VS-8 (2.9x1.9)
سلسلة:U-MOSIII
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:28 mOhm @ 3A, 4.5V
تبديد الطاقة (ماكس):700mW (Ta)
التعبئة والتغليف:Original-Reel®
حزمة / كيس:8-SMD, Flat Lead
اسماء اخرى:TPCF8101(TE85LFMDKR
TPCF8101FDKR
TPCF8101FDKR-ND
TPCF8101TE85LFM
درجة حرارة التشغيل:150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:TPCF8101(TE85L,F,M
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1600pF @ 10V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:18nC @ 5V
نوع FET:P-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:P-Channel 12V 6A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-8 (2.9x1.9)
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):12V
وصف:MOSFET P-CH 12V 6A VS-8
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:6A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات