TPH12008NH,L1Q
TPH12008NH,L1Q
رقم القطعة:
TPH12008NH,L1Q
الصانع:
Toshiba Semiconductor
وصف:
MOSFET N CH 80V 24A SOP
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17093 Pieces
ورقة البيانات:
TPH12008NH,L1Q.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل TPH12008NH,L1Q ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك TPH12008NH,L1Q عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى TPH12008NH,L1Q مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 300µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:8-SOP Advance (5x5)
سلسلة:U-MOSVIII-H
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:12.3 mOhm @ 12A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):1.6W (Ta), 48W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:8-PowerVDFN
اسماء اخرى:TPH12008NH,L1Q(M
TPH12008NHL1Q
TPH12008NHL1QTR
درجة حرارة التشغيل:150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:16 Weeks
الصانع الجزء رقم:TPH12008NH,L1Q
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1900pF @ 40V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:22nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 80V 24A (Tc) 1.6W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):80V
وصف:MOSFET N CH 80V 24A SOP
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:24A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات