ULN2802A - STMicroelectronics - الترانزستورات - ثنائي القطب (بجت) - صفائف ULN2802A

ULN2802A

رقم القطعة:: ULN2802A

الصانع:: ST

وصف:: TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 13503 Pieces

ورقة البيانات:: ULN2802A.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل ULN2802A ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك ULN2802A عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى ULN2802A مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):	50V
اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم:	1.6V @ 500µA, 350mA
نوع الترانزستور:	8 NPN Darlington
تجار الأجهزة حزمة:	18-DIP
سلسلة:	-
السلطة - ماكس:	2.25W
التعبئة والتغليف:	Tube
حزمة / كيس:	18-DIP (0.300", 7.62mm)
اسماء اخرى:	497-2355-5
درجة حرارة التشغيل:	-20°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:	Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:	6 Weeks
الصانع الجزء رقم:	ULN2802A
تردد - تحول:	-
وصف موسع:	Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA 2.25W Through Hole 18-DIP
وصف:	TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE:	1000 @ 350mA, 2V
الحالي - جامع القطع (ماكس):	-
الحالي - جامع (IC) (ماكس):	500mA
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لULN2802A

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
ULN2805A	STMicroelectronics	TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP	تحقيق
ULN2803A	STMicroelectronics	TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP	تحقيق
PBSS4350SSJ	Nexperia USA Inc.	TRANS 2NPN 50V 2.7A 8SOIC	تحقيق
HN1B01FU-GR,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6-PLN	تحقيق
ULN2804A	STMicroelectronics	TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP	تحقيق
ULN2801A	STMicroelectronics	TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP	تحقيق
HN3C51F-GR(TE85L,F	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار