UP04979G0L - Panasonic Electronic Components - الترانزستورات - فيتس، موسيتس - صفائف UP04979G0L

UP04979G0L

رقم القطعة:: UP04979G0L

الصانع:: Panasonic

وصف:: MOSFET N/P-CH 50V/30V SSMINI-6

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 13252 Pieces

ورقة البيانات:: UP04979G0L.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل UP04979G0L ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك UP04979G0L عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى UP04979G0L مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:	1.5V @ 1µA
تجار الأجهزة حزمة:	SSMini6-F2
سلسلة:	-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:	12 Ohm @ 10mA, 4V
السلطة - ماكس:	125mW
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:	SOT-563, SOT-666
اسماء اخرى:	UP04979G0LTR
درجة حرارة التشغيل:	125°C (TJ)
تصاعد نوع:	Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:	UP04979G0L
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:	-
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:	-
نوع FET:	N and P-Channel
FET الميزة:	Logic Level Gate
وصف موسع:	Mosfet Array N and P-Channel 50V, 30V 100mA 125mW Surface Mount SSMini6-F2
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):	50V, 30V
وصف:	MOSFET N/P-CH 50V/30V SSMINI-6
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:	100mA
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لUP04979G0L

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
SI4900DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC	تحقيق
SI3529DV-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP	تحقيق
IRF7389PBF	Infineon Technologies	MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC	تحقيق
UP0497900L	Panasonic Electronic Components	MOSFET N/P-CH 50V/30V SSMINI-6P	تحقيق
FDS8958B	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC	تحقيق
IXTL2X200N085T	IXYS	MOSFET 2N-CH 85V 112A I5-PAK	تحقيق
IRF5852TR	Infineon Technologies	MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP	تحقيق
NDS9945	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC	تحقيق
PMGD290XN,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار