يشترى US6K4TR مع BYCHPS
شراء مع ضمان
US6K4TR
- رقم القطعة:
- US6K4TR
- الصانع:
- LAPIS Semiconductor
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TUMT6
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18354 Pieces
- ورقة البيانات:
- US6K4TR.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل US6K4TR ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك US6K4TR عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1V @ 1mA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | TUMT6 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| السلطة - ماكس: | 1W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 6-SMD, Flat Leads |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | US6K4TR |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 110pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 2.5nC @ 4.5V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 1.5A 1W Surface Mount TUMT6 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف: | MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TUMT6 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 1.5A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لUS6K4TR
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
FC6943010R | Panasonic Electronic Components | MOSFET 2N-CH 30V 0.1A SSMINI6 | تحقيق |
 |
DMC25D1UVT-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 25V/12V TSOT26 | تحقيق |
 |
APTM10HM19FT3G | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 100V 70A SP3 | تحقيق |
 |
FDS6982 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC | تحقيق |
 |
FMM150-0075X2F | IXYS | MOSFET 2N-CH 75V 120A I4-PAC-5 | تحقيق |
 |
NTJD4105CT4G | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363 | تحقيق |
 |
SI1988DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6 | تحقيق |
|
DMC6040SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A 8-SO | تحقيق |
|
SI6562DQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP | تحقيق |
|
AO4842 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 7.7A 8-SOIC | تحقيق |
 |
SP8M7FU6TB | Rohm Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 5A/7A 8SOIC | تحقيق |
 |
NTMC1300R2 | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC | تحقيق |
 |
ALD1102BPAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog