يشترى VBO22-18NO8 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VBO22-18NO8
- رقم القطعة:
- VBO22-18NO8
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- RECT BRIDGE 21A 1800V FO-B
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13426 Pieces
- ورقة البيانات:
- VBO22-18NO8.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل VBO22-18NO8 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك VBO22-18NO8 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | 1800V |
|---|---|
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 2.2V @ 150A |
| تكنولوجيا: | Standard |
| تجار الأجهزة حزمة: | FO-B |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | 4-Square, FO-B |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | QC Terminal |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | VBO22-18NO8 |
| وصف موسع: | Bridge Rectifier Single Phase 1800V 21A QC Terminal FO-B |
| نوع الصمام الثنائي: | Single Phase |
| وصف: | RECT BRIDGE 21A 1800V FO-B |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 300µA @ 1800V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 21A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لVBO22-18NO8
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
110MT120KB | Vishay Semiconductor Diodes Division | RECT BRIDGE 1200V 110A MTK | تحقيق |
 |
DBF20G | ON Semiconductor | DIODE BRIDGE 1PH 2A 600V 4SIP | تحقيق |
 |
VBO22-16NO8 | IXYS | RECT BRIDGE 21A 1600V FO-B | تحقيق |
 |
GBPC3501-G | Comchip Technology | RECTIFIER BRIDGE 35A 100V GBPC | تحقيق |
|
VBO22-12NO8 | IXYS | RECT BRIDGE 21A 1200V FO-B | تحقيق |
 |
VS-2KBB40R | Vishay Semiconductor Diodes Division | RECTIFIER BRIDGE 400V 1.9A D-37 | تحقيق |
 |
KBP208G | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 2A 800V 1PH KBP | تحقيق |
 |
SC3BH2F | Semtech Corporation | BRIDGE RECT 3A 200V | تحقيق |
 |
KBL404-G | Comchip Technology | RECTIFIER BRIDGE 4A 400V KBL | تحقيق |
|
VBO22-14NO8 | IXYS | RECT BRIDGE 21A 1400V FO-B | تحقيق |
 |
GBU6C-E3/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 6A 150V GPP INLINE GBU | تحقيق |
|
VBO22-08NO8 | IXYS | RECT BRIDGE 21A 800V FO-B | تحقيق |
|
94MT120KB | Vishay Semiconductor Diodes Division | RECT BRIDGE 1200V 90A MTK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog