يشترى VQ1006P مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VQ1006P
- رقم القطعة:
- VQ1006P
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16875 Pieces
- ورقة البيانات:
- VQ1006P.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل VQ1006P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك VQ1006P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | 14-DIP |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 4.5 Ohm @ 1A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 2W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | - |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | VQ1006P |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 60pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | 4 N-Channel |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array 4 N-Channel 90V 400mA 2W Through Hole 14-DIP |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 90V |
| وصف: | MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 400mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لVQ1006P
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
FMP36-015P | IXYS | MOSFET N/P-CH 150V 36A/22A I4PAC | تحقيق |
 |
VQ1004P-2 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205 | تحقيق |
|
VQ1006P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP | تحقيق |
|
VQ1004P | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205 | تحقيق |
 |
FDR8508P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 3A SSOT-8 | تحقيق |
|
VQ1004P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205 | تحقيق |
|
VQ1001P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP | تحقيق |
 |
CSD87355Q5D | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 30V 8LSON | تحقيق |
 |
APTC90AM60SCTG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 900V 59A SP4 | تحقيق |
 |
PMDPB28UN,115 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 4.6A HUSON6 | تحقيق |
 |
US6J2TR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6 | تحقيق |
 |
DI9952T | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8-SOIC | تحقيق |
|
VQ1006P-2 | Vishay Siliconix | MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP | تحقيق |
 |
EFC6602R-A-TR | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH EFCP | تحقيق |
|
VQ1001P | Vishay Siliconix | MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP | تحقيق |
|
VQ1001P-2 | Vishay Siliconix | MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP | تحقيق |
 |
IRF5851TR | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP | تحقيق |
 |
APTM120H140FT1G | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog