يشترى ZXMN6A25N8TA مع BYCHPS
شراء مع ضمان
ZXMN6A25N8TA
- رقم القطعة:
- ZXMN6A25N8TA
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- MOSFET N-CH 60V 8SO
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19007 Pieces
- ورقة البيانات:
- ZXMN6A25N8TA.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل ZXMN6A25N8TA ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك ZXMN6A25N8TA عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-SO |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 50 mOhm @ 3.6A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1.56W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| اسماء اخرى: | ZXMN6A25N8TADI |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | ZXMN6A25N8TA |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1063pF @ 30V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 20.4nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 60V 4.3A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SO |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET N-CH 60V 8SO |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 4.3A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لZXMN6A25N8TA
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
ZXMN6A08GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223 | تحقيق |
 |
ZXMN6A25DN8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8-SOIC | تحقيق |
|
ZXMN6A25GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V SOT223 | تحقيق |
|
ZXMN6A25G | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223 | تحقيق |
 |
ZXMN6A25K | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 7A DPAK | تحقيق |
 |
ZXMN6A08E6QTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6 | تحقيق |
|
ZXMN6A25KTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V DPAK | تحقيق |
 |
ZXMN6A07ZTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT-89 | تحقيق |
|
ZXMN6A08E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6 | تحقيق |
|
ZXMN6A11GTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223 | تحقيق |
|
ZXMN6A08KTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 5.36A DPAK | تحقيق |
|
ZXMN6A09DN8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog