يشترى ZXMN6A08E6QTA مع BYCHPS
شراء مع ضمان
ZXMN6A08E6QTA
- رقم القطعة:
- ZXMN6A08E6QTA
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16022 Pieces
- ورقة البيانات:
- ZXMN6A08E6QTA.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل ZXMN6A08E6QTA ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك ZXMN6A08E6QTA عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-26 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 80 mOhm @ 4.8A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1.1W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SOT-23-6 |
| اسماء اخرى: | ZXMN6A08E6QTADITR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | ZXMN6A08E6QTA |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 459pF @ 40V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 5.8nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 60V 2.8A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-26 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4.5V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 2.8A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لZXMN6A08E6QTA
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
ZXMN6A09DN8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC | تحقيق |
 |
ZXMN6A08E6TC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6 | تحقيق |
 |
ZXMN6A09KTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 11.2A DPAK | تحقيق |
|
ZXMN6A09DN8TC | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOIC | تحقيق |
|
ZXMN6A08KTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 5.36A DPAK | تحقيق |
|
ZXMN6A25DN8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8-SOIC | تحقيق |
 |
ZXMN6A08GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223 | تحقيق |
 |
ZXMN6A07ZTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT-89 | تحقيق |
|
ZXMN6A08E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6 | تحقيق |
|
ZXMN6A25N8TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 8SO | تحقيق |
 |
ZXMN6A07FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3 | تحقيق |
|
ZXMN6A07FTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3 | تحقيق |
|
ZXMN6A25GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V SOT223 | تحقيق |
|
ZXMN6A09GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog