يشترى AFT05MP075GNR1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
AFT05MP075GNR1
- رقم القطعة:
- AFT05MP075GNR1
- وصف:
- FET RF 2CH 40V 520MHZ TO270-4
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14526 Pieces
- ورقة البيانات:
- AFT05MP075GNR1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل AFT05MP075GNR1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك AFT05MP075GNR1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 12.5V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 40V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS (Dual) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-270 WB-4 Gull |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 70W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-270BB |
| اسماء اخرى: | 935311172528 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | AFT05MP075GNR1 |
| ربح: | 18.5dB |
| تردد: | 520MHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 12.5V 400mA 520MHz 18.5dB 70W TO-270 WB-4 Gull |
| وصف: | FET RF 2CH 40V 520MHZ TO270-4 |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 400mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAFT05MP075GNR1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
AFT05MS031NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 40V 520MHZ TO-270-2 | تحقيق |
 |
MMBFJ310LT3G | ON Semiconductor | JFET N-CH 25V 60MA SOT23 | تحقيق |
 |
AFT05MS031GNR1 | NXP USA Inc. | FET RF 40V 520MHZ TO270-2G | تحقيق |
|
A2T21S260-12SR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | تحقيق |
|
MMRF1020-04GNR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 105V 920MHZ OM780-4G | تحقيق |
 |
AFT05MP075NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 40V 520MHZ TO270-4 | تحقيق |
 |
MAGX-001214-250L00 | M/A-Com Technology Solutions | TRANSISTOR GAN 250W 1.2-1.4GHZ | تحقيق |
 |
SD2932B | STMicroelectronics | IC TRANS RF PWR HF/VHF/UHF M244 | تحقيق |
 |
MRF8P9300HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 70V 960MHZ NI-1230HS | تحقيق |
 |
CE3521M4-C2 | CEL | RF FET 4V 20GHZ SOT343 | تحقيق |
 |
AFT05MS006NT1 | NXP USA Inc. | FET RF 30V 520MHZ PLD | تحقيق |
 |
BF1202WR,115 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R | تحقيق |
 |
AFT05MS003NT1 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | تحقيق |
|
AFT05MS004NT1 | NXP USA Inc. | FET RF 30V 520MHZ PLD | تحقيق |
|
MW6S010GMR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 960MHZ TO270-2GW | تحقيق |
 |
BF556A,235 | NXP USA Inc. | JFET N-CH 30V 7MA SOT23 | تحقيق |
 |
BLF8G22LS-220J | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog