العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف > AFT05MS031GNR1
AFT05MS031GNR1
رقم القطعة:
AFT05MS031GNR1
الصانع:
NXP Semiconductors / Freescale
وصف:
FET RF 40V 520MHZ TO270-2G
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
18345 Pieces
ورقة البيانات:
AFT05MS031GNR1.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل AFT05MS031GNR1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك AFT05MS031GNR1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى AFT05MS031GNR1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - اختبار:13.6V
الجهد - تقييمه:40V
نوع الترانزستور:LDMOS
تجار الأجهزة حزمة:TO-270-2 GULL
سلسلة:-
مخرج قوي:31W
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-270-2 Gull Wing
اسماء اخرى:935321855528
الضوضاء الشكل:-
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):3 (168 Hours)
الصانع المهلة القياسية:10 Weeks
الصانع الجزء رقم:AFT05MS031GNR1
ربح:17.7dB
تردد:520MHz
وصف موسع:RF Mosfet LDMOS 13.6V 10mA 520MHz 17.7dB 31W TO-270-2 GULL
وصف:FET RF 40V 520MHZ TO270-2G
التصويت الحالي:-
الحالي - اختبار:10mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لAFT05MS031GNR1

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
BLF10M6135U Image BLF10M6135U Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502A تحقيق
PD85015TR-E Image PD85015TR-E STMicroelectronics TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF تحقيق
AFT05MP075GNR1 Image AFT05MP075GNR1 NXP USA Inc. FET RF 2CH 40V 520MHZ TO270-4 تحقيق
PTFA080551FV4R0XTMA1 Infineon Technologies RF MOSFET LDMOS 28V H-37265-2 تحقيق
AFT05MS031NR1 Image AFT05MS031NR1 NXP USA Inc. FET RF 40V 520MHZ TO-270-2 تحقيق
BLD6G21L-50,112 Image BLD6G21L-50,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT1130A تحقيق
AFT05MS006NT1 Image AFT05MS006NT1 NXP USA Inc. FET RF 30V 520MHZ PLD تحقيق
AFT05MS004NT1 Image AFT05MS004NT1 NXP USA Inc. FET RF 30V 520MHZ PLD تحقيق
PTFB212503ELV1R0XTMA1 Infineon Technologies IC AMP RF LDMOS H-33288-6 تحقيق
AFT05MP075NR1 Image AFT05MP075NR1 NXP USA Inc. FET RF 2CH 40V 520MHZ TO270-4 تحقيق
MRF7S19080HR5 Image MRF7S19080HR5 NXP USA Inc. FET RF 65V 1.99GHZ NI-780 تحقيق
AFT05MS003NT1 Image AFT05MS003NT1 NXP USA Inc. IC TRANS RF LDMOS تحقيق
PD20010-E Image PD20010-E STMicroelectronics TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF تحقيق
MRF7S19170HR3 Image MRF7S19170HR3 NXP USA Inc. FET RF 65V 1.99GHZ NI-880 تحقيق

Latest الأخبار