العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف > BLD6G21L-50,112
BLD6G21L-50,112
BLD6G21L-50,112
رقم القطعة:
BLD6G21L-50,112
الصانع:
Ampleon
وصف:
RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT1130A
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
18663 Pieces
ورقة البيانات:
BLD6G21L-50,112.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BLD6G21L-50,112 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BLD6G21L-50,112 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى BLD6G21L-50,112 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - اختبار:28V
الجهد - تقييمه:65V
نوع الترانزستور:LDMOS (Dual), Common Source
تجار الأجهزة حزمة:CDFM4
سلسلة:-
مخرج قوي:8W
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:SOT-1130A
اسماء اخرى:568-8663-5
934063508112
BLD6G21L-50,112-ND
BLD6G21L50112
الضوضاء الشكل:-
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:BLD6G21L-50,112
ربح:14.5dB
تردد:2.02GHz
وصف موسع:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 170mA 2.02GHz 14.5dB 8W CDFM4
وصف:RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT1130A
التصويت الحالي:10.2A
الحالي - اختبار:170mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لBLD6G21L-50,112

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
BLD6G22LS-50,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 14DB SOT1130B تحقيق
BLF7G20LS-200,118 Image BLF7G20LS-200,118 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B تحقيق
PTFB212503ELV1R0XTMA1 Infineon Technologies IC AMP RF LDMOS H-33288-6 تحقيق
BLF8G20LS-400PVQ Image BLF8G20LS-400PVQ NXP USA Inc. TRANS RF 400W LDMOS CDFM8 تحقيق
MRF6S19060NBR1 Image MRF6S19060NBR1 NXP USA Inc. FET RF 68V 1.93GHZ TO272-4 تحقيق
MRF5S19150HSR3 NXP USA Inc. FET RF 65V 1.99GHZ NI-880S تحقيق
NE3512S02-T1C-A Image NE3512S02-T1C-A CEL HJ-FET NCH 13.5DB S02 تحقيق
PD85015TR-E Image PD85015TR-E STMicroelectronics TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF تحقيق
BLD6G21LS-50,112 Image BLD6G21LS-50,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT1130B تحقيق
PN5033 Central Semiconductor Corp TRANSISTOR PNP TH تحقيق
PTFA080551FV4R0XTMA1 Infineon Technologies RF MOSFET LDMOS 28V H-37265-2 تحقيق
BLD6G22L-50,112 Image BLD6G22L-50,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 14DB SOT1130A تحقيق

Latest الأخبار