يشترى AFV09P350-04GNR3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
AFV09P350-04GNR3
- رقم القطعة:
- AFV09P350-04GNR3
- وصف:
- FET RF 2CH 105V 920MHZ OM780-4GW
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19756 Pieces
- ورقة البيانات:
- AFV09P350-04GNR3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل AFV09P350-04GNR3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك AFV09P350-04GNR3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 48V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 105V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS (Dual) |
| تجار الأجهزة حزمة: | OM-780G-4L |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 100W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | OM-780G-4L |
| اسماء اخرى: | 935318141528 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | AFV09P350-04GNR3 |
| ربح: | 19.5dB |
| تردد: | 920MHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 48V 860mA 920MHz 19.5dB 100W OM-780G-4L |
| وصف: | FET RF 2CH 105V 920MHZ OM780-4GW |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 860mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAFV09P350-04GNR3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
VRF161MP | Microsemi Corporation | FET RF NCH 170V 30MHZ M174 | تحقيق |
 |
AFV09P350-04NR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 105V 920MHZ OM780-4 | تحقيق |
 |
MRF6VP3450HSR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 110V 860MHZ NI1230S | تحقيق |
 |
MRF8S9260HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 70V 960MHZ NI-880H | تحقيق |
 |
AFT18H357-24NR6 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | تحقيق |
 |
MRF6V3090NR5 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 860MHZ TO270-4 | تحقيق |
 |
MAGX-000035-09000P | M/A-Com Technology Solutions | FET RF 65V 3.5GHZ 14DFN | تحقيق |
 |
PTFA211801EV5R250XTMA1 | Infineon Technologies | FET RF 65V 2.14GHZ H36260-2 | تحقيق |
|
AFT18S290-13SR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.96GHZ NI-880X-2L4S | تحقيق |
 |
BLF578XRS,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 110V 23.5DB SOT539B | تحقيق |
|
VRF191 | Microsemi Corporation | MOSFET RF N-CH 100V 150W T11 | تحقيق |
 |
SD2931 | STMicroelectronics | IC TRANS RF PWR HF/VHF/UHF M244 | تحقيق |
|
PTFA192001E1V4XWSA1 | Infineon Technologies | FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog