يشترى BF998,215 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BF998,215
- رقم القطعة:
- BF998,215
- وصف:
- MOSFET NCH DUAL GATE 12V SOT143B
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12565 Pieces
- ورقة البيانات:
- BF998,215.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BF998,215 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BF998,215 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 8V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 12V |
| نوع الترانزستور: | N-Channel Dual Gate |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-143B |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-253-4, TO-253AA |
| اسماء اخرى: | 568-1973-2 934002640215 BF998 T/R |
| الضوضاء الشكل: | 0.6dB |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | BF998,215 |
| ربح: | - |
| تردد: | 200MHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet N-Channel Dual Gate 8V 10mA 200MHz SOT-143B |
| وصف: | MOSFET NCH DUAL GATE 12V SOT143B |
| التصويت الحالي: | 30mA |
| الحالي - اختبار: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBF998,215
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BF998WR,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 12V 30MA SOT343R | تحقيق |
 |
BF998R,235 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 12V 30MA SOT143 | تحقيق |
 |
BLF8G10L-160,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502A | تحقيق |
 |
PTFA092211FLV4XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS | تحقيق |
 |
MRF8HP21130HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.17GHZ NI780S-4 | تحقيق |
|
BF998,235 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 12V 30MA SOT143 | تحقيق |
 |
MRF281ZR1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.93GHZ NI-200Z | تحقيق |
 |
NE651R479A-A | CEL | FET RF 8V 1.9GHZ 79A | تحقيق |
 |
MRF6V2300NBR5 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 220MHZ TO-272-4 | تحقيق |
 |
CGH80030D | Cree/Wolfspeed | RF MOSFET HEMT 28V DIE | تحقيق |
|
A2T21H100-25SR3 | NXP USA Inc. | IC RF LDMOS TRANS CELL | تحقيق |
|
BF998R,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 12V 30MA SOT143R | تحقيق |
|
BLF6G27LS-50BN,112 | NXP USA Inc. | TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1112B | تحقيق |
 |
MAGX-002731-100L00 | M/A-Com Technology Solutions | TRANSISTOR GAN 100W 2.7-3.1GHZ | تحقيق |
 |
MRF275L | M/A-Com Technology Solutions | FET RF 65V 500MHZ 333-04 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog