العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف > BF998R,235
BF998R,235
BF998R,235
رقم القطعة:
BF998R,235
الصانع:
NXP Semiconductors / Freescale
وصف:
MOSFET N-CH 12V 30MA SOT143
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16873 Pieces
ورقة البيانات:
BF998R,235.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BF998R,235 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BF998R,235 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى BF998R,235 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - اختبار:8V
الجهد - تقييمه:12V
نوع الترانزستور:N-Channel Dual Gate
تجار الأجهزة حزمة:SOT-143R
سلسلة:-
مخرج قوي:-
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:SOT-143R
اسماء اخرى:934002660235
الضوضاء الشكل:0.6dB
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:BF998R,235
ربح:-
تردد:200MHz
وصف موسع:RF Mosfet N-Channel Dual Gate 8V 10mA 200MHz SOT-143R
وصف:MOSFET N-CH 12V 30MA SOT143
التصويت الحالي:30mA
الحالي - اختبار:10mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لBF998R,235

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
A2T21S160-12SR3 NXP USA Inc. IC TRANS RF LDMOS تحقيق
PD57006STR-E Image PD57006STR-E STMicroelectronics TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF تحقيق
BF998,215 Image BF998,215 NXP USA Inc. MOSFET NCH DUAL GATE 12V SOT143B تحقيق
PTAC260302FCV1R0XTMA1 Infineon Technologies IC AMP RF LDMOS H-37248H-4 تحقيق
BF998WR,115 Image BF998WR,115 NXP USA Inc. MOSFET N-CH 12V 30MA SOT343R تحقيق
BF1212WR,115 Image BF1212WR,115 NXP USA Inc. MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R تحقيق
BLF6H10L-160,112 Image BLF6H10L-160,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 104V 20DB SOT467C تحقيق
BF998R,215 Image BF998R,215 NXP USA Inc. MOSFET N-CH 12V 30MA SOT143R تحقيق
BLF7G20L-200,112 Image BLF7G20L-200,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502A تحقيق
ARF443 Image ARF443 Microsemi Corporation PWR MOSFET RF N-CH 300V TO-247AD تحقيق
SD56150 Image SD56150 STMicroelectronics FET RF 65V 860MHZ M252 تحقيق
BLC8G27LS-100AVY Image BLC8G27LS-100AVY Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT12751 تحقيق
MRFE6VP61K25HR6 Image MRFE6VP61K25HR6 NXP USA Inc. FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230 تحقيق
AFT21H350W03SR6 NXP USA Inc. FET RF 2CH 65V 2.11GHZ NI1230S تحقيق
MRF282SR1 NXP USA Inc. FET RF 65V 2GHZ NI-200S تحقيق
BF998,235 Image BF998,235 NXP USA Inc. MOSFET N-CH 12V 30MA SOT143 تحقيق

Latest الأخبار