العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف > NE3509M04-A
NE3509M04-A
NE3509M04-A
رقم القطعة:
NE3509M04-A
الصانع:
CEL (California Eastern Laboratories)
وصف:
FET RF 4V 2GHZ 4-SMINI
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16528 Pieces
ورقة البيانات:
1.NE3509M04-A.pdf2.NE3509M04-A.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NE3509M04-A ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NE3509M04-A عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى NE3509M04-A مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - اختبار:2V
الجهد - تقييمه:4V
نوع الترانزستور:HFET
تجار الأجهزة حزمة:M04
سلسلة:-
مخرج قوي:11dBm
التعبئة والتغليف:Bulk
حزمة / كيس:SOT-343F
اسماء اخرى:NE3509M04A
الضوضاء الشكل:0.4dB
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:NE3509M04-A
ربح:17.5dB
تردد:2GHz
وصف موسع:RF Mosfet HFET 2V 10mA 2GHz 17.5dB 11dBm M04
وصف:FET RF 4V 2GHZ 4-SMINI
التصويت الحالي:60mA
الحالي - اختبار:10mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لNE3509M04-A

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
MRF6P21190HR6 Image MRF6P21190HR6 NXP USA Inc. FET RF 68V 2.12GHZ NI-1230 تحقيق
NE3509M04-T2-A Image NE3509M04-T2-A CEL FET RF 4V 2GHZ SOT-343 تحقيق
MRF7S18125AHR3 Image MRF7S18125AHR3 NXP USA Inc. FET RF 65V 1.88GHZ NI780 تحقيق
NE3508M04-A Image NE3508M04-A CEL FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM تحقيق
NE3503M04-T2-A Image NE3503M04-T2-A CEL FET RF 4V 12GHZ M04 تحقيق
PD54008 Image PD54008 STMicroelectronics FET RF 25V 500MHZ PWRSO-10 تحقيق
MRF9030LR5 Image MRF9030LR5 NXP USA Inc. FET RF 68V 945MHZ NI-360 تحقيق
NE3503M04-A Image NE3503M04-A CEL FET RF 4V 12GHZ M04 تحقيق
BF256C Fairchild/ON Semiconductor JFET N-CH 30V 18MA TO92 تحقيق
NE3503M04-T2B-A CEL FET RF 4V 12GHZ M04 تحقيق
MRFE6S9045GNR1 Image MRFE6S9045GNR1 NXP USA Inc. FET RF 66V 880MHZ TO-270-2 تحقيق
BLA6H1011-600,112 Image BLA6H1011-600,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A تحقيق
NE350184C CEL FET RF 4V 20GHZ MICRO-X تحقيق
NE3508M04-T2-A Image NE3508M04-T2-A CEL FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM تحقيق
SD2932 Image SD2932 STMicroelectronics TRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M244 تحقيق
BLS7G2730LS-200PU Image BLS7G2730LS-200PU Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 12DB SOT539B تحقيق
PTFB093608FVV2R250XTMA1 Infineon Technologies IC AMP RF LDMOS تحقيق

Latest الأخبار